【20秒で分かる化学ニュース】TOPPANとDNPのフォトマスク開発加速
簡単に言うと...
TOPPANとDNPは極端紫外線（EUV）マスクの微細化に注力。
量産体制構築を視野に、コストを抑えつつ老朽した設備の修繕技術開発も急ぐ。
TOPPANはラピダスと提携する米IBMの開発向けに回路線幅2nmの次世代半導体用フォトマスクの供給を開始。
ラピダスは2024年にEUV露光装置を導入。
EUV露光とは波長13.5nmの極端紫外線（EUV)を用いた半導体露光技術のこと。
EUV露光装置は、幅7nm以降の微細なパターンをウエハー上に転写露光する技術として先端半導体製造に不可欠なもの。
DNPは3nmのフォトマスク製造プロセスを開発。
ＥＵＶ露光の周辺技術開発支援含め３０年に年間１００億円の売り上げを目指す。
参考：ラピダスの調達視野…TOPPAN・大日印、半導体向けフォトマスク微細化加速｜ニュースイッチ by 日刊工業新聞社
引用
：半導体の微細化に不可欠なEUV露光技術の現状とこれから | サイエンス リポート | TELESCOPE magazine | 東京エレクトロン
